就在上周，扬子存储技术有限公司(YMTC)展示了1个28层3D NAND芯片，这是对之前最大64层存储数量的升级，以及对非易失性闪存和超高密度SSD的新推动。现在，三星似乎感觉很热。据韩国出版物Etnews报道，这家韩国制造商有传言称将加快V-NAND的开发，该技术可堆叠160层高。

根据这份报告，不清楚来源是谁，三星将使用其“双堆栈”方法来开发这种新的堆栈式V-NAND，顾名思义，它在3D结构中使用垂直堆栈。三星的双栈方法通过两步而不是像三星目前所做的那样一步一步地将层互连。

堆叠如此高的NAND层似乎是NAND-Jenga的游戏，但对于提高SSD的密度，提高材料产量和降低功耗至关重要。如果三星确实提供了160层产品，那么它将是业内最高的产品。

Etnews的报告没有分享有关即将推出的技术的任何其他详细信息，因此，当三星是否正式宣布其第七代V-NAND时，我们将不得不坐下来作进一步的解释。由于上一代的堆叠式V-NAND每年夏天都会发布，因此假设开发没有延迟，我们可以在6月或8月发布任何时间表。